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• Interface PCIe Gen3x4 haute vitesse : SSD Lexar 512 Go jusqu’à 3500 Mo/s en lecture et 2400 Mo/s en écriture – NVMe 1.4 pris en charge.
• Facteur de forme SSD interne Lexar M.2 2280 avec 3D NAND.
• Le disque SSD Lexar obtient 6 fois la vitesse d’un SSD basé sur SATA.
• Le SSD Lexar est idéal pour les passionnés de PC et les joueurs.
• Lexar Disque SSD interne résistant aux chocs et aux vibrations sans pièces mobiles.

SSD Lexar 1 To

• Interface haute vitesse PCIe Gen3x4 : Lecture jusqu’à 3500 Mo/s et écriture jusqu’à 3000 Mo/s, compatible NVMe 1.4.
• Facteur de forme M.2 2280 avec technologie NAND 3D.
• Performance exceptionnelle : Six fois plus rapide qu’un SSD SATA.
• Parfait pour les passionnés de PC et les gamers.
• Durabilité : Résistant aux chocs et aux vibrations grâce à l’absence de pièces mobiles.

• Transfert en lecture jusqu’à 3 500 Mo/s, vitesses de transfert en écriture inférieures. Vitesses basées sur des tests internes. Les performances réelles peuvent varier.
•  Résistant aux chocs (1500G, durée 0,5 ms, demi-onde sinusoïdale) et aux vibrations (10~2000Hz, 1,5mm, 20G, 1 Octet/min, 30min/axe (X,Y,Z)). Basé sur des tests internes. Les performances réelles peuvent varier.
•  Comparaison basée sur des tests internes. Les performances réelles peuvent varier.

• NVMe pour des temps de démarrage du système d’exploitation et des chargements d’applications super rapides.
• L’interface NVMe PCIe Gen3 x4 offre des performances allant jusqu’à 3 300 Mo/s en vitesse de lecture et 2 500 Mo/s en vitesse d’écriture
• La bande passante améliorée de l’interface NVMe permet d’obtenir des performances élevées et une faible latence, ce qui la rend supérieure aux SSD SATA.
• Performances haut de gamme et consommation d’énergie ultra faible idéales pour les applications exigeantes et les jeux haut de gamme
• Garantie limitée de 5 ans ou selon le TBW, support technique basé en UE.

PNY CS1030 1TB M.2 NVMe PCIe Gen3 X4, 2100MB/s Vitesse De Lecture, 1700MB/s Vitesse D’écriture Internal Solid State Drive (SSD)

• Lecture séquentielle jusqu’à 3500 Mo/s et écriture séquentielle jusqu’à 3000 Mo/s
• Démarrage et lancement des applications plus rapides
• Meilleures performances système générales
• Stockage fiable
• Consommation électrique plus faible, fonctionnement froid et discret.